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保护板mos管,无刷电机mos,30v150a,KIA2803AB场效应管参数-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，在锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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保护板mos,to-252 150a30v,KND2803S场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KND2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5483.html 2025-05-13
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锂电池保护板mos,120a85v场效应管,KCB3008B参数资料-KIA MOS管
锂电池保护板（13-16串)专用MOS管KCB3008B漏源击穿电压85V，漏极电流120A；使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），高效稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），优...www.kiaic.com/article/detail/5579.html 2025-04-22
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保护板mos管,85v120a场效应管,3008mos管,KCB3008A参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高...www.kiaic.com/article/detail/5600.html 2025-04-07
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锂电池保护板mos,80v70a场效应管,KND3508A参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos型号KND3508A漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5415.html 2024-12-30
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保护板mos管,30v50a,dfn3*3,KNG3703A参数资料-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，完全表征雪崩电压和电流，确保高效稳定的开关性能；适用于同步降压变换器、DC...www.kiaic.com/article/detail/5381.html 2024-12-13
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80n07场效应管参数,保护板mos管,KIA3508A替代-KIA MOS管
80n07场效应管替代型号KIA3508A漏源电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(ON)11mΩ；具有低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；100%雪崩测试、高击穿电压和电流，性能稳定可靠；无铅和绿色设备标准，符合RoHS环保要求；适用于电动车控制器、锂电池保...www.kiaic.com/article/detail/5360.html 2024-12-04
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4703场效应管参数,保护板mos管,KPE4703A中文资料-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进的高单元密度沟道技术，使得器件能够在尺寸较小的情况下提供卓越的性能，能够在锂电池保护板、智...www.kiaic.com/article/detail/5320.html 2024-11-15
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锂电池保护板mos管,30v7.5a,KIA7P03A场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，出色的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的栅极电荷，最小化开关损耗，具有出色的Cdv/dt效应下降，绿色环保材料，稳定可靠；封装形式：SOP-8，适用于各种应用场景，高效低...www.kiaic.com/article/detail/5275.html 2024-10-25
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80v 80a代替,保护板mos管,KNB3308B场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308B是一款10-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池保护板的性能稳定可靠；此外，它还具有高雪崩电流，能够应对各种复杂的应用场景，采用无铅绿色设...www.kiaic.com/article/detail/5239.html 2024-10-10
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保护板mos管,knb3306b场效应管参数,68v80a中文资料-KIA MOS管
KNB3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，是一款7-10串保护板专用MOS管，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流、提供无铅绿色设备，性能稳定可靠，在无刷电机、逆变器、DC...www.kiaic.com/article/detail/5233.html 2024-09-30
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锂电池保护板mos管,042N10参数场效应管代换,KCB3010A资料-KIA MOS管
KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（典型值）RDS（导通）=4.0mΩ；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高等出色性能...www.kiaic.com/article/detail/5033.html 2024-06-20
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小功率led,锂电池保护板MOS管,3203场效应管,参数资料-KIA MOS管
KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数，采用了CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通）和优秀的QgxRDS（on）产品性能；RDS（开）为3.1m?@VGS=10V，表现出优异的特性，符合JEDEC标准，广泛应用于电机控制和驱动、小功率LED、锂电池保护...www.kiaic.com/article/detail/5012.html 2024-06-11
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光伏逆变器,锂电保护板mos管,1906场效应管现货-KIA MOS管
KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7m?，在电源、光伏逆变器和锂电保护板等应用中具有出色的性能表现；1906场效应管采用无铅和绿色材料制造，符合环保要求，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率，高雪崩电流，保...www.kiaic.com/article/detail/4997.html 2024-06-03